Прорив у нанотехнологіях: IBM та Lam Research працюють над мікросхемами майбутнього
Гіганти технологічної індустрії IBM та Lam Research оголосили про стратегічне п’ятирічне партнерство, спрямоване на розробку інноваційного EUV-резисту (фоторезисту для екстремального ультрафіолету), який відкриє шлях до створення мікросхем нового покоління з техпроцесом менше 1 нанометра (нм). Це співробітництво обіцяє революціонізувати виробництво напівпровідників, перевершивши поточні можливості галузі.
Шлях до субоднономітрових техпроцесів
Основна мета спільної роботи — створення необхідної технологічної бази для масового виробництва логічних мікросхем, розміри яких перевищують найсучасніші досягнення. Для цього буде задіяно передову високоапертурну EUV-літографію в поєднанні з інноваційною технологією сухого резисту Aether від Lam Research. Дослідження проводитимуться на базі потужного науково-дослідного центру IBM Research, розташованого в Олбані, штат Нью-Йорк, у рамках комплексу NY Creates Albany NanoTech Complex. Це не перша спільна ініціатива IBM та Lam Research. Компанії вже понад десять років плідно співпрацюють, зробивши вагомий внесок у розвиток 7-нм техпроцесу, архітектур нанолистових транзисторів та впровадження ранніх EUV-процесів. Нагадаємо, саме IBM у 2021 році заявила про створення першого у світі чипа, виготовленого за 2-нм техпроцесом, що вже тоді було значним досягненням. Нова угода акцентує увагу на перевірці комплексних техпроцесів для нанолистових та наностекових транзисторних архітектур. Особливу увагу приділятимуть забезпеченню живлення з тильного боку мікросхеми, використовуючи передові платформи травлення Kiyo та Akara від Lam, системи охолодження Striker і ALTUS Halo, а також згаданий сухий резист Aether.
Переваги сухого резисту Aether
Традиційні літографічні процеси використовують хімічно посилені резисти, які потребують вологої обробки. Однак, з підвищенням вимог до точності, зумовлених EUV-сканерами з високою числовою апертурою, такі матеріали виявляються недостатньо ефективними. Натомість, сухий резист Aether від Lam Research наноситься за допомогою парофазних прекурсорів, а не традиційним центрифугуванням. Його обробка здійснюється шляхом плазмового сухого процесу. Ключова перевага Aether полягає в тому, що його металоорганічні сполуки поглинають ультрафіолетове випромінювання в 3-5 разів ефективніше, ніж стандартні вуглецевмісні резисти. Це дозволяє зменшити необхідну дозу опромінення на кожному етапі обробки кремнієвої пластини. Результатом є можливість одноразового формування складних структур на найсучасніших технологічних вузлах, що усуває потребу в дорожчих багаторазових процесах друку зображення.
Думка UA Новини: Це партнерство знаменує собою наступний етап у гонці за зменшенням розмірів транзисторів, що безпосередньо вплине на потужність і енергоефективність майбутніх обчислювальних пристроїв. Для користувачів це означатиме появу більш швидких та енергоефективних гаджетів, а для розробників — нові виклики та можливості у створенні складніших штучних інтелектів та застосунків.
Оригінал статті: itc.ua