Гіганти тех-індустрії Intel та SoftBank активно працюють над фіналізацією нового стандарту оперативної пам’яті Z-Angle Memory (ZAM). Ця розробка покликана стати серйозним конкурентом для існуючих рішень на базі HBM (High Bandwidth Memory) і потенційно змінити ландшафт високопродуктивних обчислень.
Нові горизонти продуктивності
Згідно з оприлюдненими даними, ZAM обіцяє досягти вдвічі більшої пропускної здатності порівняно з наступним поколінням HBM4. Більше того, новий стандарт наблизиться до показників ще не представленого HBM4E, вихід якого очікується наступного року. Проте, варто зазначити, що повне завершення розробки ZAM заплановано на 2028-2030 роки, тому до масового впровадження ще далеко.
Технічні деталі та архітектура ZAM
Під час майбутньої конференції VLSI Symposium 2026, Intel та SoftBank презентують розширену інформацію про ZAM. Однак, навіть поточні відомості дозволяють скласти уявлення про інноваційність проєкту. Архітектура ZAM передбачає 9-шарову структуру. Кожен окремий стек буде містити 8 модулів DRAM, розділених тонкими кремнієвими прокладками завтовшки 3 мікрометри. Основа стеку включатиме логічний контролер, що керуватиме всіма дев’ятьма модулями пам’яті.
Ключові міжз’єднання, реалізовані через TSV (Through-Silicon Via – наскрізні кремнієві отвори), на трьох основних рівнях забезпечать приблизно 13,7 тисячі з’єднань. Використання гібридного методу з’єднання дозволить досягти високої ефективності. Кожен шар надасть 1,125 ГБ пам’яті, що у підсумку дасть 10 ГБ на стек. Загальний обсяг пам’яті в корпусі досягатиме 30 ГБ. Розміри стеку складуть 171 мм², а пропускна здатність – вражаючі 0,25 Тб/с на квадратний міліметр, що еквівалентно 5,3 ТБ/с на кожен стек.
Переваги ZAM над HBM
Серед головних переваг нової технології виділяється вища щільність пропускної здатності (~0,25 Тб/с/мм²), що перевищує показники HBM. Також важливим аспектом є низьке енергоспоживання, досягнуте завдяки оптимізації. Архітектура ZAM забезпечує значно краще розсіювання тепла, оскільки вертикальне компонування полегшує керування температурним режимом, на відміну від HBM, де шари провідників можуть призводити до перегріву.
Оптимізація для штучного інтелекту
ZAM характеризується надзвичайно високою щільністю шарів, підтримуючи понад 9 шарів з мінімальною товщиною кремнієвих елементів та наскрізними TSV-з’єднаннями у кожному. Новий стандарт пам’яті також пропонує бездротове введення/виведення на основі магнітного поля та вдосконалену технологію об’єднання каналів для кращої масштабованості. Архітектура ZAM спеціально оптимізована під потреби штучного інтелекту (ШІ), усуваючи обмеження, які HBM накладає на обробку великих обсягів даних у завданнях генеративного ШІ.
Думка UA Новини: Запуск ZAM може стати знаковим моментом для ринку пам’яті, пропонуючи рішення для зростаючих потреб у високопродуктивних обчисленнях, особливо в сфері ШІ. Конкуренція на цьому полі стимулюватиме подальші інновації та потенційно знизить вартість передових технологій для користувачів.
За матеріалами: itc.ua